Деградация светодиодов на основе гетероструктур нитрида галлия и его твердых растворов

Цель работы состоит в нахождении механизмов и закономерностей процессов деградации полупроводниковых гетероструктур на основе нитрида галлия в стационарном и импульсном режимах. Исследования, результаты которых приводятся и обсуждаются в статье, проводились на кристаллах на основе InGaN/GaN гетероструктур с квантовыми ямами при работе в стационарном режиме и повышенных значениях окружающей температуры и плотности тока.

Вы можете купить электронную версию издания «Деградация светодиодов на основе гетероструктур нитрида галлия и его твердых растворов». После оплаты (для архивов) оно будет доступно в Личном Кабинете в разделе «Электронные издания». В случае оформления подписки, издание будет доступно по мере поступления от издателя. Формат PDF/HTML. Стоимость — от 143.00 руб.