|
"Аномальный" спектральный фоторезистивный эффект поля в кристаллах CdS, обусловленный экранированием электрон-дырочного взаимодействия"Аномальный" спектральный фоторезистивный эффект поля в кристаллах CdS, обусловленный экранированием электрон-дырочного взаимодействия Исследованы изменения спектров низкотемпературной (Т=77К) краевой фотопроводимости кристаллов CdS, вызванные действием на поверхность образца внешнего поперечного электрического поля. В ряде кристаллов обнаружен "аномальный" характер этих изменений, анализ которого позволил установить существенную роль приповерхностных эффектов экранирования электрон-дырочного взаимодействия в формировании спектров краевой фотопроводимости кристаллов CdS с технологическим избытком кадмия вблизи поверхности // Физика твердого тела. - 2013. - Т. 55, Вып. 4. - С. 639-644. 
Итого: 0.00руб. Электронное издание «"Аномальный" спектральный фоторезистивный эффект поля в кристаллах CdS, обусловленный экранированием электрон-дырочного взаимодействия» (бесплатно). Скачать номера в формате PDF. |
