Влияние тянущего поля на спектры фотопроводимости кристаллов CdS вблизи края поглощения

В спектрах фотопроводимости кристаллов CdS обнаружены яркие проявления эффектов, обусловленных влиянием тянущего (измерительного) электрического поля на вероятность ионизации мелких центров. Показано, что спектральные максимумы фототока вблизи края поглощения полупроводника (дополнительные максимумы) могут быть приписаны фототермическим и термооптическим межзонным переходам электронов через уровни мелких центров, образующие "примесные" зоны // Вестник Калмыцкого университета. - 2012. - № 4. - С. 42-47.

Электронное издание «Влияние тянущего поля на спектры фотопроводимости кристаллов CdS вблизи края поглощения» (бесплатно). Скачать номера в формате PDF.