+7-495-680-99-71
public@akc.ru
+7-495-680-89-87

На главнуюНаписать намКарта сайта

ВЛИЯНИЕ ПАРАМЕТРОВ ЭЛЕКТРОН-ФОНОННОГО ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ НА ВЕРОЯТНОСТЬ ЭЛЕКТРОННО-КОЛЕБАТЕЛЬНЫХ ПЕРЕХОДОВ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА С ГЛУБОКИХ УРОВНЕЙ

ВЛИЯНИЕ ПАРАМЕТРОВ ЭЛЕКТРОН-ФОНОННОГО ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ НА ВЕРОЯТНОСТЬ ЭЛЕКТРОННО-КОЛЕБАТЕЛЬНЫХ ПЕРЕХОДОВ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА С ГЛУБОКИХ УРОВНЕЙ

ВЛИЯНИЕ ПАРАМЕТРОВ ЭЛЕКТРОН-ФОНОННОГО  ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ НА ВЕРОЯТНОСТЬ  ЭЛЕКТРОННО-КОЛЕБАТЕЛЬНЫХ ПЕРЕХОДОВ  НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА С ГЛУБОКИХ УРОВНЕЙ

Актуальность и цели. В полупроводниках и полупроводниковых соединениях образуются комплексы дефектов. Эти комплексы имеют квазимолекулярную структуру. В таких структурах возможны локальные колебания по типу щелочно-галлоидных кристаллов. В этом случае имеет место сильное электрон-фононное взаимодействие, которое существенно изменяет вероятность перехода. В научной литературе данные эффекты в большинстве случаев не учитываются, что приводит к расхождению теоретических и экспериментальных результатов. Цель данной статьи – показать важный вклад электронфононного взаимодействия и продемонстрировать теоретически и экспериментально методику его оценки Материалы и методы. В работе приводятся результаты квантовомеханических расчетов вероятности электронно-колебательного перехода, проводится моделирование вероятности перехода в зависимости от параметров форм-функции электронного перехода, а также сопоставление теоретических расчетов с экспериментальными результатами. Сочетание таких подходов приводит к высокой достоверности результатов. Эксперимент выполняется на важном для современной техники материале – GaAs. Это повышает актуальность данной работы. Результаты. Теоретически и экспериментально показано, что электронфононное взаимодействие увеличивает вероятность электронных переходов с участием глубоких уровней. В работе получено выражение для вероятности электронно-колебательного перехода. Данная вероятность представляет сверку чисто электронного перехода с выражением для форм-функции оптического перехода, характеризующей электрон-фононное взаимодействие. Показано, что с увеличением дисперсии этой функции вероятность перехода возрастает. Выводы. Экспериментально и теоретически показано, что электронфононное взаимодействие оказывает определяющее влияние на формирование обратных токов на основе арсенида галлия.

Итого: 90.00руб. Купить


Вы можете купить электронную версию издания «ВЛИЯНИЕ ПАРАМЕТРОВ ЭЛЕКТРОН-ФОНОННОГО ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ НА ВЕРОЯТНОСТЬ ЭЛЕКТРОННО-КОЛЕБАТЕЛЬНЫХ ПЕРЕХОДОВ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА С ГЛУБОКИХ УРОВНЕЙ». После оплаты (для архивов) оно будет доступно в Личном Кабинете в разделе «Электронные издания». В случае оформления подписки, издание будет доступно по мере поступления от издателя. Формат PDF/HTML. Стоимость — от 90.00 руб.
  • ПодпискаЗдоровье и образование в XXI веке. Электронный научно-образовательный вестник
  • ПодпискаВестник ИРЯиК МГУ. Филология. Культурология. Педагогика. Методика
  • ПодпискаУправление качеством в нефтегазовом комплексе
  • ПодпискаЛичность. Культура. Общество
  • ПодпискаМир безопасности
  • ПодпискаФилософия и общество
  • ПодпискаИсторическая психология и социология истории
  • ПодпискаКондратьевские волны
  • ПодпискаИнформационно-управляющие системы
  • ПодпискаНаука и жизнь
  • ПодпискаВестник детско-юношеского туризма
  • ПодпискаСтудия Антре
  • ПодпискаБудь здоров! - 100 страниц о самом главном
  • ПодпискаЭкологический вестник России
  • ПодпискаКачественная архитектура

06.11.2024Все новости

«Газпром Медиа» в декабре выпустит свой первый глянцевый журнал

Компания «Газпром-медиа Развлекательное телевидение» выпустит глянцевое издание о стиле, бизнесе и образе жизни под названием «Мнение редакции* может не совпадать». Первый номер выйдет в декабре 2024 г., сообщили в пресс-службе.

подробнее »

ПОДПИСКА НА ЖУРНАЛЫ И ГАЗЕТЫ ON-LINE1

Мы используем cookie. Это позволяет нам анализировать взаимодействие посетителей с сайтом и делать его лучше. Продолжая пользоваться сайтом, вы соглашаетесь с использованием файлов cookie.
Подробнее можно ознакомиться на странице политики конфиденциальности и политики обработки персональных данных.

Загрузка...
Загрузка...