ИССЛЕДОВАНИЕ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ПРИМЕСИ В ИОННО-ИМПЛАНТИРОВАННОМ СЛОЕ ПОЛУПРОВОДНИКА МЕТОДАМИ РЕНТГЕНОФЛУОРЕСЦЕНТНОГО АНАЛИЗА И ЭЛЛИПСОМЕТРИИ

Разработан метод определения распределения по глубине ионно-имплантированных атомов примеси в полупроводниках. Метод заключается в измерении концентрации примеси рентгенофлуоресцентным анализом при эллипсометрически контролируемом удалении тонких слоев полупроводника. Обнаружено, что длительное облучение низкоэнергетическим рентгеновским излучением ионно-имплантированного слоя полупроводника приводит к изменению профиля распределения ионно-внедренных атомов примеси

Вы можете купить электронную версию издания «ИССЛЕДОВАНИЕ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ПРИМЕСИ В ИОННО-ИМПЛАНТИРОВАННОМ СЛОЕ ПОЛУПРОВОДНИКА МЕТОДАМИ РЕНТГЕНОФЛУОРЕСЦЕНТНОГО АНАЛИЗА И ЭЛЛИПСОМЕТРИИ». После оплаты (для архивов) оно будет доступно в Личном Кабинете в разделе «Электронные издания». В случае оформления подписки, издание будет доступно по мере поступления от издателя. Формат PDF/HTML. Стоимость — от 200.00 руб.